机读格式显示(MARC)
- 000 01594oam2 2200349 450
- 010 __ |a 978-7-111-49307-5 |d CNY99.00
- 100 __ |a 20150527d2015 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 先进的高压大功率器件:原理、特性和应用 |d Advanced high voltage power device concepts |f (美)B. Jayant Baliga著 |g 于坤山[等]译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015.05
- 215 __ |a 14,442页 |c 图 |d 24cm
- 330 __ |a 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管(EST)。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。
- 461 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛
- 510 1_ |a Advanced high voltage power device concepts |z eng
- 701 _0 |c (美) |a 巴利加 |c (Baliga, B. Jayant) |4 著
- 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20150527
- 801 _2 |a CN |b LIY |c 20150922
- 905 __ |a SYXY |d TN303/15
- 907 __ |a SYXY |y 2011 |h |d TN303 |r CNY99.00 |e 15