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- 000 01771nam0 2200409 450
- 010 __ |a 978-7-03-040034-5 |d CNY58.00
- 100 __ |a 20140513d2014 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 |A na mi ji CMOS chao da gui mo ji cheng dian lu ke zhi zao xing she ji |d Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |f (美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 |g 王昱阳, 谢文遨译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014
- 215 __ |a 261页 |c 图 |d 24cm
- 305 __ |a 麦格劳-希尔(亚洲)教育出版出版公司授权出版
- 306 __ |a 麦格劳-希尔(亚洲)教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版
- 312 __ |a 英文原名:Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability
- 330 __ |a 本书内容包括:CMOSVLSI电路设计的技术趋势;半导体制造技术;光刻技术;工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模;面向可制造性的物理设计技术;测量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影响的建模和合格率提高技术;物理设计和可靠性;DFM工具和DFM方法等。
- 510 1_ |a Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |z eng
- 606 0_ |a 纳米材料 |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计 |j 教材
- 701 _0 |c (美) |a 坤社 |A kun she |g (Kundu, Sandip) |4 著
- 701 _0 |c (印) |a 斯里达尔 |A si li da er |g (Sreedhar, Aswin) |4 著
- 702 _0 |a 王昱阳 |A wang yu yang |4 译
- 702 _0 |a 谢文遨 |A xie wen ao |4 译
- 801 _0 |a CN |b BJSZM |c 20141020
- 801 _2 |a CN |b LIY |c 20150120
- 905 __ |a SYXY |d TN432.02/2
- 907 __ |b |a SYXY |y 2014 |h |d TN432.02 |r CNY58.00 |e 2