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• 000 01266nam 2200313 450

• 001 0000711794

• 005 20230304155600.0

• 010 __ |a 978-7-121-38073-0 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20200719d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 现代VLSI器件基础 |A xian dai VLSI qi jian ji chu |f (美) 陶元, 甯德雄著 |d = Fundamentals of modern VLSI devices |f Yuan Taur, Tak H. Ning |g 黄如 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2020.06

• 215 __ |a XXIII, 484页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 集成电路系列丛书 |A ji cheng dian lu xi lie cong shu

• 305 __ |a 据原书第2版译出

• 320 __ |a 有书目 (第460-484页)

• 330 __ |a 本书旨在深度剖析影响现代VLSI器件性能的主要因素。本书首先分析了VLSI器件的基本器件物理, 这对于单个器件的参数设计是非常有帮助的 ; 然后本书从基础电路层面分析了器件参数对现代小尺寸VLSI器件性能的影响。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路系列丛书

• 500 10 |a Fundamentals of modern VLSI devices |m Chinese

• 606 0_ |a VLSI芯片 |A VLSI xin pian |x 电路设计

• 690 __ |a TN470.2 |v 5

• 701 _1 |a 陶元 |A tao yuan |g (Taur, Yuan) |4 著

• 701 _1 |a 甯德雄 |A ning de xiong |g (Ning, Tak H.) |4 著

• 702 _0 |a 黄如 |A huang ru |4 译

• 801 _0 |a CN |b HNZX |c 20200719

• 905 __ |a SYXY |d TN470.2/4