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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件 |9 gong lv ban dao ti qi jian |b 专著 |e 工作原理和制造工艺 |f (美)格安迪(S.K.Ghandhi)著 |g 张光华,钟士谦译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 1982

• 215 __ |a 277页 |d 21cm

• 300 __ |a 书名原文:Semiconductor power devices(Physics of operat

• 510 1_ |a Semiconductor power devices(Physics of operation and fabrication technology) |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 格安迪 |9 ge an di |b S.K. |4 著

• 701 _1 |a Ghandhi |b S.K. |4 著

• 702 _0 |a 张光华 |9 zhang guang hua |4 译

• 702 _0 |a 钟士谦 |9 zhong shi qian |4 译

• 710 __ |a 本社编

• 801 _0 |a CN |b 邵阳学院 |c 20241031

• 801 _2 |a CN |b 邵阳学院

• 905 __ |a SYXY |d TN303/28JS