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• 010 __ |a 978-7-03-043346-6 |b 精装 |d CNY165.00

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• 200 1_ |a 直拉硅单晶生长过程建模与控制 |A zhi la gui dan jing sheng zhang guo cheng jian mo yu kong zhi |f 刘丁著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2015

• 215 __ |a xiii, 285页 |c 彩图 |d 25cm

• 306 __ |a 中国科学院出版基金资助出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书源于作者在直拉硅单晶生长控制领域十余年的研究心得与成果积累，在对硅单晶生长工艺参数及制备理论进行全面论述的基础上，系统地介绍了直拉硅晶体生长的基本原理和工艺过程以及热场、磁场等关键部件的设计理论与方法。

• 333 __ |a 适用于集成电路产业的专业技术人员及相关读者。

• 606 0_ |a 直拉硅单晶 |A zhi la gui dan jing |x 晶体生长 |x 过程模拟 |x 建立模型

• 606 0_ |a 直拉硅单晶 |A zhi la gui dan jing |x 晶体生长 |x 过程控制

• 690 __ |a TN304.053 |v 5

• 690 __ |a TP273 |v 5

• 701 _0 |a 刘丁 |A liu ding |4 著

• 801 _0 |a CN |b HD |c 20150723

• 801 _2 |a CN |b LIY |c 20180105

• 801 _2 |a CN |b LIY |c 20180402

• 905 __ |a SYXY |d TN304.053/1

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