机读格式显示(MARC)

• 000 01759nam 2200361 450

• 001 0000244228

• 005 20171214082555.0

• 010 __ |a 978-7-03-039330-2 |d CNY150.00

• 100 __ |a 20140429d2014 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a eng |e chi |g chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a Through-silicon vias for 3D integration |A Through-silicon vias for 3D integration |d = 硅通孔3D集成技术 |f (美) John H. Lau著 |g 曹立强, 秦飞, 王启东中文导读 |z chi

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014

• 215 __ |a xxxxvi, 487 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 信息科学技术学术著作丛书 |A xin xi ke xue ji shu xue shu zhu zuo cong shu

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书系统讨论用于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，结合当前三维集成关键技术的发展重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片／芯片键合技术、芯片／晶圆键合技术、晶圆／晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性等关键技术问题，最后讨论可实现产业化规模量产的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。

• 410 _0 |1 2001 |a 信息科学技术学术著作丛书

• 510 1_ |a 硅通孔3D集成技术 |z chi

• 606 0_ |a 硅基材料 |A gui ji cai liao |j 英文

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 刘汉诚 |A liu han cheng |g (Lau, John H.) |4 著

• 702 _0 |a 曹立强 |A cao li qiang |4 中文导读

• 702 _0 |a 秦飞 |A qin fei |4 中文导读

• 702 _0 |a 王启东 |A wang qi dong |4 中文导读

• 801 _0 |a CN |b HD |c 20140429

• 801 _2 |a CN |b LIY |c 20171214

• 905 __ |a SYXY |d TN304/7

• 907 __ |a SYXY |y 2016 |h |d TN304 |r CNY150.00 |e 7

• 908 __ |a 0101211182

• 908 __ |a 0000244228