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• 200 1_ |a 半导体硅锗中的离子注入 |9 ban dao ti gui zhe zhong de li zi zhu ru |b 专著 |f (美)迈耶(J.W.Mayer等著 |g 余怀之等译

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 1979

• 215 __ |a 290页 |d 19cm

• 300 __ |a 书名原文:Ion implantation in semiconductors silicon an

• 510 1_ |a Ion implantation in semiconductors silicon and germanium |z eng

• 606 0_ |a 元素半导体 |x 硅 |x 离子注入

• 606 0_ |a 元素半导体 |x 锗 |x 离子注入

• 690 __ |a TN305.3 |v 5

• 701 _1 |a 迈耶 |9 mai ye |b J.W. |4 著

• 701 _1 |a Mayer |b J.W. |4 著

• 702 _0 |a 余怀之 |9 yu huai zhi |4 译

• 710 __ |a 本社编

• 801 _0 |a CN |b 邵阳学院 |c 20241023

• 905 __ |a SYXY |d TN305.3/3