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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:6

题名/责任者:
半导体激光器能带结构和光增益的量子理论.下册/郭长志编著
出版发行项:
北京:科学出版社,2016
ISBN及定价:
978-7-03-047380-6 精装/CNY168.00
载体形态项:
481-880页:图;25cm
丛编项:
半导体激光器设计理论.III
个人责任者:
郭长志 编著
学科主题:
半导体激光器-能带结构-量子论
学科主题:
半导体激光器-激光-增益-量子论
中图法分类号:
TN248.4
一般附注:
国家科学技术学术著作出版基金资助出版
书目附注:
有书目和索引
提要文摘附注:
本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题
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