MARC状态：已编 文献类型：中文图书 浏览次数：16
- 题名/责任者:
- 纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级/靳松, 韩银和著
- 出版发行项:
- 北京:清华大学出版社,2019
- ISBN及定价:
- 978-7-302-52299-7/CNY69.00
- 载体形态项:
- 181页:图;24cm
- 并列正题名:
- Analysis and optimization on large-scale COMS integrated circuits in the presence of parameter variability:form circuit-level to system level
- 其它题名:
- 从电路级到系统级
- 个人责任者:
- 靳松 著
- 个人责任者:
- 韩银和 著
- 学科主题:
- 纳米材料-数字集成电路-研究
- 中图法分类号:
- TN431.2
- 书目附注:
- 有书目 (第169-181页)
- 提要文摘附注:
- 本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性（Negative bias temperature instability – NBTI）和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN431.2/21 | A3026336 |  自然科学书库（七里坪新馆六楼）
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可借 | 自然科学书库（七里坪新馆六楼） | |
| TN431.2/21 | A3026337 | 自然科学书库（七里坪新馆六楼）
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可借 | 自然科学书库（七里坪新馆六楼） | |
| TN431.2/21 | A3026338 | 自然科学书库（七里坪新馆六楼）
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可借 | 自然科学书库（七里坪新馆六楼） |
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