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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:4

题名/责任者:
高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术/张龙,孙伟锋,刘斯扬等著
出版发行项:
北京:人民邮电出版社,2023
ISBN及定价:
978-7-115-58481-6 精装/CNY149.00
载体形态项:
201页:图;24cm
并列正题名:
High-voltage LIGBT on thick SOI: key technologies
丛编项:
电子信息前沿专著系列
个人责任者:
张龙
个人责任者:
孙伟锋
个人责任者:
刘斯扬
学科主题:
厚膜-半导体功能器件-研究
中图法分类号:
TN389
一般附注:
国家出版基金项目 “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目
提要文摘附注:
本书共7章:首先介绍了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理,分析了器件的耐压、导通、关断原理;然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术,研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术,分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术;围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性,研究了关断失效、短路失效、开启电流过冲、低温特性漂移;最后探讨了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。
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TN389/5 A1108850   自然科学书库(七里坪新馆六楼)     可借 自然科学书库(七里坪新馆六楼)
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